## Контекст Phase-change materials (PCMs), такие как Ge-Sb-Te аллюги, широко используются в неинтерактивных памятных устройствах благодаря своему быстрому и реверсивному переключению между аморфным и кристаллическим состояниями. Однако их функциональные свойства значительно зависят от микро- и наномасштабных изменений в составе и структуре, которые трудно осуществить с помощью традиционных методов. Целью настоящего исследования является раскрытие этих изменений через применение машинного обучения к 4D-STEM данным, чтобы обнаружить и систематизировать наномасштабные гетерогенности в Ge-Sb-Te. ## Метод Для выполнения исследования был разработан метод, состоящий из нескольких этапов: 1. **Препроцессинг данных**: 4D-STEM данные были предобработаны для удаления шумов и улучшения качества. 2. **Редукция размерности**: Данные были сжаты с помощью PCA (Principal Component Analysis) для уменьшения измерений. 3. **Группировка данных**: Метод k-means был использован для кластеризации, с оптимизацией через silhouette scoring. 4. **Валидация кластеров**: Данные были проанализированы с помощью t-SNE и UMAP для проверки и визуализации кластеров. 5. **Интерпретация результатов**: Элементные интенсивности и средние матрицы перекрестных кристаллических углов были использованы для интерпретации кластеров. ## Результаты На основе применения предложенного метода было выявлено четыре кластера в Ge-Sb-Te. Эти кластеры были связаны с разными составными и структурными характеристиками: - **Cluster 1**: Обнаружена более высокая концентрация оксида и германия. - **Cluster 2**: Значимая концентрация теллура. - **Cluster 3**: Особый уровень сбалансированности теллура и антимоня. - **Cluster 4**: Доля германия и оксида. Эти выявленные кластеры были взаимосвязаны с их соответствующими характеристиками в дифракционных данных, подтверждая таким образом наличие вариаций в составе и структуре на уровне ячеек. ## Значимость Результаты этого исследования имеют большое значение для понимания и оптимизации Ge-Sb-Te PCMs в сфере неинтерактивных памятных устройств. Метод, установленный в рамках данного исследования, может быть применен для изучения других PCMs и позволяет получить более глубокие знания о их наномасштабных свойствах. Это может привести к улучшению производительности и надежности таких материалов. ## Выводы Выполненное исследование показало эффективность применения машинного обучения для кластеризации и анализа 4D-STEM данных в Ge-Sb-Te PCMs. Оно установило новый подход к определению и интерпретации наномасштабных гетерогенностей в PCMs. Будущие исследования могут сфокусироваться на