Symmetry-Constrained Multi-Scale Physics-Informed Neural Networks for Graphene Electronic Band Structure Prediction

## Контекст Определение электронных банд структур двумерных материалов является ключевым вопросом в теории кристаллов и электронной структуре материалов. Двумерные материалы, такие как графен, обладают уникальными свойствами, которые определяются этими бандами. Традиционные методы, такие как Дрейфус-Крыстофф-ширфт (DKS) или теоретические модели, либо неэффективны, либо требуют значительных дополнительных ресурсов. Таким образом, есть необходимость в развитии методов, которые бы быстро и точно предсказывали электронные банды, сохраняя геометрические и физические свойства материалов. ## Метод Метод предлагаемый в статье основывается на применении физико-основанного обучения с учетом симметрий. Основой является многошаговый подход, включающий в себя ResNet-6 сети, которые работают со специальными фичизированными формами. Три специальных голов (K-head, M-head, General head) отвечают за различные характеристики банд структур, включая глобальные тенденции и локальные физические явления. Метод также включает в себя систематическую схему градиентного снижения, что позволяет наладить иерархический обученный подход, начиная с глобальной топологии и заканчивая локальными физическими свойствами. Важной частью метода является включение 12 операций группы симметрии, которые гарантируют точное сохранение симметрии в результатах. ## Результаты Эксперименты проводились на базе 10 000 к-точек, обучение продолжилось 300 эпох с последовательным увеличением веса градиентного снижения. Результаты показывают, что модель достигла 99.99% снижения тренировочной потери, при этом потеря на валидации составила 0.0085. Точность предсказания модели внутри границы 30.3 микроэлектронных вольт для дирак-точек, при этом средние ошибки для валентных и кондуктивных банд составили 53.9 мегаэлектронных вольт и 40.5 мегаэлектронных вольт соответственно. Эти результаты указывают на высокую точность модели в предсказании электронных банд в графене. ## Значимость Метод предлагаемый в статье имеет широкие области применения в области кристаллографии, теории кристаллов и физики квантовых материалов. Его основное преимущество заключается в том, что он сочетает в себе высокую точность и эффективность вычислений. Это может привести к ускорению дискавери процесса в графене и других двумерных материалах. Будущие исследования могут направлены на расширение данного подхода на другие типы двумерных материалов, чтобы обобщить его применение. ##